05 мая 2021

«Ученые НИЦ «Курчатовский институт» разработали новую стратегию получения перспективных материалов для электроники. Они создаются путем интеграции двух компонентов - кремниевой основы и функционального оксида, который формируется в виде тонкой пленки. Уникальность технологии заключается в управлении границей раздела между этими двумя компонентами в материале. Предложенный подход универсален и позволит в будущем получить большое разнообразие структур, которые будут востребованы для создания энергоэффективных устройств», - рассказали ТАСС в пресс-службе института.

Исследователи выяснили, что объединение компонентов материала происходило через один и тот же универсальный интерфейс, которым выступает структура, формирующаяся на границе кремниевой основы и оксида. Свойства создаваемых на ее основе соединений зависят от типа выбранного оксида, а сам процесс представляет собой «выращивание» слоев оксида на подложке из кремния, пояснили ТАСС представители Курчатовского института.

Авторы уже получили несколько новых материалов, обладающих магнитными свойствами, которые могут найти свое применение в приборах спинтроники - электронных устройствах с низким потреблением энергии.

«Кремниевая электроника подошла к своему технологическому пределу. Сегодня для создания компактных устройств с низким потреблением энергии необходимы новые материалы. Они, с одной стороны, должны задействовать существующую кремниевую технологическую платформу, а с другой - обладать свойствами, которые у кремния отсутствуют», - приводит пресс-служба института слова руководителя лаборатории новых элементов наноэлектроники Вячеслава Сторчака.

Исследование поддержано грантом Российского научного фонда, результаты работы опубликованы в журнале Advanced Functional Materials.

*Фото: Версия.Инфо